‌‌ Samsung та IBM подолали фізичний бар’єр у 1 нм у створенні | Sundries - новини, технології, суспільство

‌‌ Samsung та IBM подолали фізичний бар’єр у 1 нм у створенні мікропроцесорів

IBM та Samsung Electronics оголосили про прорив у проєктуванні напівпровідникових мікросхем. Партнерам вдалося створити «вертикально розташовані транзистори» - конструкцію чіпів, в якій частина компонентів встановлюється перпендикулярно один до одного. Вже на першому етапі розробки така система виявилася здатна подвоїти продуктивність мікросхем або знизити їхнє енергоспоживання на 85%. У довгостроковій перспективі технологія дозволить обійти закон Мура…